Семейство радиационно-стойких ПЛИС RTAX-S предлагает лучшие в отрасли возможности для проектирования космических систем. Высокая производительность и низкое потребление мощности, полностью законченная система на кристалле, работа сразу после подачи питания все это делает ПЛИС RTAX-S лучшим выбором для космических разработок. Для тех разработок, где низкое потребление мощности в режиме ожидания является жизненно необходимым, Актел предлагает семейство RTAX-SL с в два раза сниженным током потребления в статическом режиме.
ПЛИС RTAX-S/SL являются высокопроизводительными микросхемами с высокой степенью интеграции с объемом матрицы до 4 миллионов системных вентилей. Максимальное доступное пользователю количество выводов составляет 840. Архитектура микросхем оптимизирована для работы в условиях космического облучения, все регистры выполнены с тройным резервированием, а сигнал на выходе регистра определяется мажоритарной схемой.
- Высоконадежная энергонезависимая Antifuse технология
- От 250К до 4М системных вентилей (от 30 000 до 500 000 эквивалентных логических ячеек)
- До 540 кбит встроенной памяти с возможностью использованя EDAC для защиты данных, с восстановлением одиночных и определением множественных ошибок.
- До 840 пользовательских выводов
- Максимальная накопленая доза до 300крад с сохранением функциональности и до 200крад без ухудшения временных параметров.
- Стойкость к одиночным сбоям регистров под действием космических лучей (поток сбоев на геостационарной орбите менее 10-10 ошибок на бит в день при максимально возможных уровнях облучения)
- Устойчивость к тиристорному эффекту при облучении частицами с LETth >117Мэв·см2/мг
- Устойчивость к изменению состояния регистров при облучении частицами с LETth > 37Мэв·см2/мг
- Специальные корпуса для космических аппаратов (CQFP and CCGA/LGA)
- Приемка по стандартам E-Flow (Actel Extended Flow), B-Flow (Mil-STD-883B), and EV-Flow (Class V Flow processing as per MIL-PRF-38535)
- Малопотребляющая RTAX-SL версия гарантированно потребляет в два раза меньше тока при любых условиях эксплуатации.
| Микросхема | RTAX250S/SL | RTAX1000S/SL | RTAX2000S/SL | RTAX4000S/SL |
|---|---|---|---|---|
| Ёмкость | ||||
| Системных вентилей |
250,000 | 1,000,000 | 2,000,000 | 4,000,000 |
| Эквивалентных логических ячеек | 30,000 | 125,000 | 250,000 | 500,000 |
| Логических ячеек | ||||
| Регистровых (R-cells) | 1,408 | 6,048 | 10,752 | 20,160 |
| Комбинаторных (C-cells) | 2,816 | 12,096 | 21,504 | 42,840 |
| Триггеров (макс.) | 2,816 | 12,096 | 21,504 | 42,840 |
| Встроенное ОЗУ/FIFO (без EDAC) | ||||
| Блоков ОЗУ | 12 | 36 | 64 | 120 |
| ОЗУ, бит | 54 k | 162 k | 288 k | 540 k |
| Тактовые сигналы |
||||
| Глобальные | 4 | 4 | 4 | 4 |
| Трассировочные | 4 | 4 | 4 | 4 |
| Вводы/Выводы | ||||
| Кол-во банков |
8 | 8 | 8 | 8 |
| Пользовательских вводов.выводов (макс.) | 248 | 418 | 684 | 840 |
| Регистров ввода/вывода |
744 | 1,548 | 2,052 | 2,520 |
| Быстродействие |
Ст., -1 | Ст., -1 | Ст., -1 | Ст., -1 |
| Исполнение (температурные диапозоны) |
E, B, EV* | E, B, EV* | E, B, EV* | E, B, EV* |
| Корпуса | ||||
| CCGA/LGA | 624 | 624 | 624, 1152 | 1272 |
| CQFP | 208, 352 | 352 | 256, 352 | 352 |
Примечания:
* EV – класс микросхем соответствующих требованиям стандарта MIL-PRF-38535 QML Class V
