RT ProASIC3

ПЛИС RT ProASIC3ПЛИС RT ProASIC®3 семейство радиационно-стойких перепрограммируемых ПЛИС, выполненных по FLASH технологии. Эти микросхемы предназначены для применения в малопотребляющей космической аппаратуре с требуемой системной частотой до 350МГц и содержат до 3 миллионов системных вентилей.

Особенности семейства

Наверх

В отличие от радиационно-стойких семейств ПЛИС фирмы Актел, изготовленных по технологии antifuse,  семейство RT ProASIC3 использует ячейки FLASH памяти для хранения информации о конфигурации. Положительный или отрицательный заряд в плавающем затворе полевого транзистора используется для хранения состояния ячейки (включено или выключено), другими словами задает, соединена или разорвана соответствующая связь. Такое использование FLASH ключей дает уникальные возможности для дизайна космической электроники.

Отличительные черты

Наверх
  • Ячейки могут быть перепрограммированы. Это дает возможность изменять прошивку без извлечения микросхемы из платы, что упрощает отладку. Кроме того, это позволяет изменять прошивку уже в полете, для изменения или улучшения алгоритмов управления.
  • Ячейки памяти являются энергонезависимыми. Это означает, что ПЛИС является независимым устройством и не требует никаких внешних устройств хранения конфигурации и отсутсвует этап загрузки прошивки после включения питания, в отличие от ПЛИС, выполненных по ОЗУ технологии. Данная особенность снижает площадь, занимаемую на кристалле и, соответственно, снижает вес системы.
  • ПЛИС RT ProASIC3 работоспособны сразу после включения питания. Нет никаких требований для загрузки системы, как это бывает у СОЗУ ПЛИС, которые требуют загрузки прошивки из внешнего ПЗУ каждый раз после включения питания.
  • Ячейки FLASH не чувствительны к облучению тяжелыми заряженными частицами (ТЗЧ). Следовательно нет необходимости в резервировании регистров, для уменьшения влияния облучения ТЗЧ, что необходимо при использовании СОЗУ ПЛИС.

ПЛИС RT ProASIC3 представлены двумя микросхемами, отличающимися по количеству системных вентилей.

Технические характеристики

Наверх
МикросхемаRT3PE600LRT3PE3000L
Ёмкость
   Системные вентили
600,000 3,000,000
Модули
   Логические ячейки
13,824 75,264
Встроенное ОЗУ/FIFO (без EDAC)
   БлоковRAM
24 112
   Бит RAM (k = 1,024) 108 504
Встроенное Flash ПЗУ
   Ёмкость Flash, бит
1,000 1,000
Глобальные ресурсы
   Тактовые сигналы
18 18
   Узлы ФАПЧ
6 6
Вводы/Выводы
   Кол-во банков
8 8
   Пользовательских вводов/выводов (макс.) 270 620
   Регистров ввода/вывода
810 1,860
Быстродействие
Std., -1 Std., -1
Виды исполнения (темп. диапазон)
B B
Корпуса
   CCGA/LGA 484 484, 896
   CQFP 256 256

RT ProASIC3 используют тот же дизайн пластин, что и коммерческие ПЛИС серии ProASIC3EL. RT3PE600L аналогична A3PE600L, а RT3PE3000L аналогична A3PE3000L